Дослідники з Наньянгського університету в Сінгапурі продемонстрували вертикальну п’єзоелектрику на атомному рівні з використанням ультратонкої плівки з сульфіду кадмію. Їм вдалося досягти триразового вертикального п’єзоелектричного коефіцієнта в порівнянні з об’ємними матеріалами. Дані дослідження, на думку вчених, будуть мати критичну роль у конструюванні датчиків і мікроелектромеханічних пристроїв нового покоління.
Сама по собі п’єзоелектрика виникає в певних матеріалах, в їх число входять: кварц, деякі види кераміки, кісткові тканини, ланцюжки ДНК і деякі види білків. Вона являє собою електричний заряд, що виникає при механічних вібраціях і зміні форми провідника.
Вченим вдалося успішно синтезувати високоякісні тонкі плівки (3-5 просторових решіток) з сульфіду кадмію і продемонструвати в них п’єзоелектрику. Результати дослідження показали зовсім нетривіальну поведінку п’єзоелектрики на атомному рівні, причому в класі погано вивчених матеріалів. Це надихає фахівців на створення ще більш тонких двовимірних провідників товщиною всього в один атом.
Результати даного дослідження можуть пролити світло на створення більш складних електромеханічних пристроїв дуже малого розміру, які будуть використовуватися для конструювання портативних пристроїв таких, як мобільний телефон. Більше того, вчені прогнозують створення нанозондів дуже високої точності, які дозволять маніпулювати атомними структурами. Це може бути величезний крок для науки, що дозволяє досліджувати багато фізичних законів, наприклад перевірити гравітаційний закон зворотніх квадратів на близьких відстанях або виявити гравітаційні хвилі.
