Samsung Electronics завершила розробку та випробування першого у світі прототипу 900-шарової 3D NAND флеш-пам’яті, який має стати основою для створення надмістких SSD для серверів і систем штучного інтелекту.
За повідомленнями південнокорейських профільних медіа, компанія успішно перевірила робочі характеристики комірок нового чипа. Йдеться про надвисокоукладену 3D NAND пам’ять, що забезпечує безпрецедентну щільність запису та орієнтована на використання в терабайтних накопичувачах наступного покоління для On-Device AI та великих мовних моделей.
Щоб досягти показника у 900 шарів, інженери Samsung відмовилися від класичного послідовного нарощування шарів на одній пластині. Натомість застосовано архітектуру Cell Multilayer Bonding (CMB), коли два окремі 450-шарові 3D NAND-кристали фізично з’єднуються в єдину монолітну структуру.
Одним із головних викликів була деформація кремнієвої пластини під час інтеграції двох масивних структур. Для її подолання компанія запровадила спеціальний інженерний механізм «верхнього патрона». Крім того, через високу чутливість до найменших відхилень при стекуванні кристалів Samsung розробила нову технологію корекції накладання, що забезпечує точне вирівнювання шарів.
Архітектурні зміни вплинули не лише на щільність запису, а й на енергоефективність та розміри чипа. Завдяки оптимізації топології бітових ліній (BL, Bit Line) та ліній слів (WL, Word Line) вдалося помітно знизити енергоспоживання мікросхеми та скоротити її фізичні габарити порівняно з теоретичними аналогами. Перевірка зразка показала життєздатність і високу стабільність структури пам’яті.
За оцінкою HiTech Expert, розробка 900-шарового прототипу 3D NAND від Samsung є технічним досягненням, яке формує подальший розвиток систем зберігання даних. Очікується, що технологія CMB дозволить створювати серверні SSD місткістю до 128 ТБ і більше у стандартному форм-факторі, що відповідає зростаючим потребам дата-центрів і ринку рішень для штучного інтелекту.
